半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031927
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237589
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】金属ゲートを用いて複雑な製造工程を要することなく閾値電圧の低下を実現する。【解決手段】シリコン基板11に絶縁膜としてシリコン酸化膜15を形成し、形成されたシリコン酸化膜15の上にPVD法によってタングステン膜を形成した後、PMOS領域をフォトレジスト17で覆い、NMOS領域に形成されたタングステン膜16にトリウムをイオン注入にて導入する。これにより、PMOSの金属ゲートをタングステンで、NMOSの金属ゲートをトリウムを添加したタングステンで形成することができ、PMOSとNMOSで仕事関数の異なる金属ゲートを容易に形成することができる。

請求項（抜粋）：

PMOSのゲート電極にタングステンを用い、NMOSのゲート電極にトリウムを添加したタングステンを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

Fターム (48件)：

4M104BB18 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD33 , 4M104DD78 , 4M104DD82 , 4M104EE16 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA09 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048DA27 , 5F140AA06 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF07 , 5F140BF38 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG43 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK21 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-297443 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-277450 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-124405 出願人：株式会社東芝

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