特許
J-GLOBAL ID：200903059440945830

電子デバイスの製造方法

発明者：
大泉 圭

大泉 圭 について

, 
佐藤 馨一

佐藤 馨一 について


出願人/特許権者：
東洋インキ製造株式会社

東洋インキ製造株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-358560
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165467
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 本発明は、耐熱性に乏しい基材に対しても使用可能な温度範囲において、金属元素および/または金属元素化合物の分散体を用いた電子デバイスの製造および電子デバイスの製造方法に関する。【解決手段】 基体表面に金属元素および/または金属元素化合物の分散体を印刷または塗装した構成物に、レーザーを照射することにより、金属元素および/または金属元素化合物層を形成させ、導電性、半導電性、抵抗性、誘電性もしくはその他の電子デバイスに必要な回路特性を発現させる方法により、製造された電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基体表面に平均粒径1000nm未満の金属元素および/または金属元素化合物の超微粒子分散体を印刷または塗装し、基体表面および/または基体裏面からレーザー光を照射し、金属元素および/または金属元素化合物層を形成させることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/10 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/320
FI (4件)：
H05K3/10 C ,  H05K3/10 D ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B
Fターム (41件)：
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD81 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343AA23 ,  5E343BB15 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343BB59 ,  5E343BB72 ,  5E343DD03 ,  5E343DD12 ,  5E343GG08 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033HH36 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ83
引用特許：
出願人引用 (7件)
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