特許
J-GLOBAL ID：200903059446682121
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142128
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335567
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 スルーホール加工およびスルーホール内導通加工が不要で、かつ半導体チップと熱膨張係数の差が少ないキャリア基板を用いた薄型・小型の半導体集積回路装置を得る。【解決手段】 熱膨張係数が4×10-6°C-1〜16×10-6°C-1の絶縁基材11に単一層として形成された複数の引出導電層3を有し、外部接続部4に到達する複数の有底孔15にボール形状で、かつ有底孔15の深さよりも径大きいの外部接続端子7とを備えたキャリア基板を用いた半導体集積回路装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の一主面上に形成された複数の導電性パッドとを有する半導体チップ、熱膨張係数が4×10-6°C-1〜16×10-6°C-1の絶縁基材に単一層として形成され、上記半導体チップの複数の導電性パッドに対応し、それぞれが対応の導電性パッドに電気的に接続される上記絶縁基材の表面側に露出されるチップ接合部および上記絶縁基材の裏面側に露出される外部接続部を有する複数の引出導電層を有し、上記複数の引出導電層の外部接続部に対応し、それぞれが上記絶縁基材の裏面から対応の外部接続部に到達する複数の有底孔が形成された絶縁基板、この絶縁基板と上記半導体チップとの間に設けられた封止樹脂、上記絶縁基板における複数の有底孔に対応し、それぞれが対応の有底孔内に配設されるとともに対応の外部接続部に接合して電気的に接続されるボール形状の導電材からなる複数の外部接続端子を備え、上記絶縁基板における複数の有底孔それぞれの深さが上記複数の外部接続端子の径より小さい半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 R
, H01L 23/12 L
