特許

J-GLOBAL ID：200903059561587353

半導体装置、シャント抵抗器の製造方法

発明者： 木村 享 ,  加柴 良裕 ,  木本 信義 ,  深田 雅一 ,  吉田 貴信
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273142
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203805
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 コンパクトな構造で、高精度に大電流を検出でき、かつ放熱性が高シャント抵抗器を備えた半導体装置を得る。【解決手段】 この発明の半導体装置は、放熱板6上の絶縁回路基板5に取り付けられた半導体素子12に流れる電流を検出するシャント抵抗器4が内蔵された半導体装置であって、シャント抵抗器4は、絶縁回路基板5に直線部位が接続されたU字状の金属板2と、この金属板の一対の直線部位間に接合材で接合された絶縁材1とを備えている。

請求項（抜粋）：

放熱板上の絶縁回路基板に取り付けられた半導体素子に流れる電流を検出するシャント抵抗器が内蔵された半導体装置であって、前記シャント抵抗器は、U字状の金属板と、この金属板の一対の直線部位間に設けられた絶縁材とを備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01C 13/00 ,  H01C 3/14 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01C 13/00 Q ,  H01C 3/14 R ,  H01L 25/04 C

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 実用新案登録第3067213号公報([0018]〜[0019]、図1)
  
• 半導体装置用のシャント抵抗素子およびその実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253045   出願人：富士電機株式会社
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-059713   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-013701
  
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-059713   出願人：三菱電機株式会社
• シーズ抵抗器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-260357   出願人：東洋電機株式会社, 三菱電機株式会社
• 高性能分流器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-297040   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 面実装用チップ抵抗器とその面実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325374   出願人：三菱電機株式会社