特許
J-GLOBAL ID：200903001091954348

半導体装置用のシャント抵抗素子およびその実装方法

発明者：
岩井田 武

岩井田 武 について

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小田 佳典

小田 佳典 について

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両角 朗

両角 朗 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253045
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097203
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】抵抗値精度,耐熱性,放熱性が高く,かつモジュールへの組付けが容易な半導体装置用のシャント抵抗素子を提供する。【解決手段】セラミックス基板5を挟んでその表面側に所定の抵抗値に合わせて設計したサイズの計測用精密抵抗材料(マンガニン,コンスタンタンなどの銅合金)からなるシート状抵抗体6,および裏面に銅板7を重ね合わせて、銀ろうなどを用いた活性化金属法により一体に接合し、かつ抵抗体の両端に電流,電圧検出用のボンディング電極部8を形成し、半導体チップを実装した基板,あるいはモジュールの銅ベース板上に半田接合して組付ける。
請求項（抜粋）：
半導体装置に組み込んでその主回路電流を検出するシャント抵抗素子であって、セラミックス基板を挟んでその表面に所定の抵抗値に合わせて設計したサイズの計測用精密抵抗材料からなるシート状抵抗体,および裏面に銅板を活性化金属法により一体に接合し、かつ前記抵抗体に電流,電圧検出用のボンディング電極部を形成してなることを特徴とする半導体装置用シャント抵抗素子。
IPC (3件)：
H01C 3/00 ,  H01C 1/14 ,  H01C 13/00
FI (3件)：
H01C 3/00 Z ,  H01C 1/14 Z ,  H01C 13/00 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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