特許

J-GLOBAL ID：200903059591527371

抵抗変化型素子

発明者： 川野 浩康 ,  庄野 敬二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 吉田 稔 ,  田中 達也 ,  仙波 司 ,  鈴木 泰光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-057542
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218260
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】大きな抵抗変化率を実現するのに適した抵抗変化型素子を提供すること。【解決手段】本発明の抵抗変化型素子X1は、例えば、電極1と、電極2と、これらの間に位置する酸素供給層3と、酸素供給層3および電極2の間に位置する酸素受容層4とを含む積層構造を有する。酸素供給層3は、酸素受容層4に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸素受容層4から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。酸素受容層4は、酸化物を形成せずに酸素供給層3から酸素イオンを受容することが可能であり、且つ、受容した酸素イオンを酸素供給層3に供与することが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、 第2電極と、 前記第1および第2電極の間に位置する酸素供給層と、 前記酸素供給層および前記第2電極の間に位置する酸素受容層と、を含む積層構造を有し、 前記酸素供給層は、前記酸素受容層に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記酸素受容層から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、 前記酸素受容層は、酸化物を形成せずに前記酸素供給層から酸素イオンを受容することが可能であり、且つ、受容した酸素イオンを前記酸素供給層に供与することが可能である、抵抗変化型素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 抵抗変化型メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-059927   出願人：松下電器産業株式会社
• 抵抗変化機能体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-074113   出願人：シャープ株式会社, 辻博司, 石川順三
• 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-355896   出願人：ソニー株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-006321   出願人：シャープ株式会社, 太陽誘電株式会社