特許

J-GLOBAL ID：200903059645599772

窒化物系化合物半導体結晶、その製造方法、および半導体装置

発明者： 三島 友義 ,  高野 和人 ,  中村 徹 ,  佐藤 政孝
出願人/特許権者： 日立電線株式会社 ,  中村 徹
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-190729
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013277
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】 電子電流の広がりを抑止し、高電界における電子速度を高めることができる窒化物系化合物半導体結晶、その製造方法、および半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置20は、SiC基板21と、このSiC基板21上に順次形成されたアンドープGaN層22と、Siドープn型AlGaN層23と、このSiドープn型AlGaN層上にそれぞれ形成されたTiAlソース電極24と、TiAlドレイン電極25と、NiAuゲート電極26とを備える。Siドープn型AlGaN層23は、結晶方位の[0001]方向の電気伝導度が大きく、[0001]方向に直交する方向が小さくなるように形成されるとともに、電気伝導度の最大値と最小値の比が10以上になるように形成される。また、各電極は、[0001]方向と直交する方向に設けられる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長により生成された窒化物半導体結晶の電気伝導度が、面内の結晶方位によって異なるとともに、前記電気伝導度の最大値と最小値の比が10以上であることを特徴とする窒化物系化合物半導体結晶。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338

FI (2件)：

H01L29/06 601L ,  H01L29/80 B

Fターム (10件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GR01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227679   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341825   出願人：シャープ株式会社, 学校法人立命館