特許
J-GLOBAL ID：200903059668077293

重ね合わせ検査工程を備えた半導体装置の製造方法

発明者：
岸田 健

岸田 健 について

, 
城戸 成範

城戸 成範 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004744
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221194
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】効率良く適用マスクの確認を行なうことが可能であり、また、半導体装置の製造歩留の向上を可能とする、重ね合わせ検査工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本実施の形態におけるエッチング工程100は、写真製版工程により、レジスト膜の露光・エッチングが行なわれる(S101)。その後、重ね合せ検査装置により被重ね合わせ層側重ね合わせマークおよびレジスト膜側重ね合わせマークを用いた重ね合わせ検査を行なう(S102A)。また、この工程において、重ね合せ検査装置を用いて適用マスク確認工程(S102B)が同時に実施される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
重ね合わせ検査装置を用いて、被重ね合わせ層の上に形成される重ね合わせ層としてのレジスト膜の重ね合わせ位置の適否を判別するための、重ね合わせ検査工程を備えた半導体装置の製造方法であって、 前記被重ね合わせ層に設けられた被重ね会わせ層側重ね合わせマークの情報を読取る工程と、 前記レジスト膜に設けられたレジスト膜側重ね合わせマークの情報を読取る工程と、 前記被重ね合わせ層側重ね合わせマークの情報と前記レジスト膜側重ね合わせマークとの情報とから、前記被重ね合わせ層側重ね合わせマークと前記レジスト膜側重ね合わせマークとの位置関係を読取り、前記被重ね合わせ層に対する前記レジスト膜の形成位置の適否を判断するマーク位置判断工程と、 前記レジスト膜側重ね合わせマークの情報と、前記重ね合わせ検査装置に予め登録された登録レジスト膜側重ね合わせマークの情報とを比較することにより、前記レジスト膜側重ね合わせマークが前記登録レジスト膜側重ね合わせマークに一致するか否かを判別するマーク判別工程と、 を備える、重ね合わせ検査工程を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3205
FI (4件)：
H01L21/30 502V ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502M ,  H01L21/88 Z
Fターム (2件)：
5F033QQ01 ,  5F033XX37
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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