特許

J-GLOBAL ID：200903059751901178

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 古谷 晃 ,  岡村 浩志 ,  大塚 信幸 ,  小川 真一
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 日向寺 雅彦 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-008418
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203569
出願日： 2004年01月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【目的】 バリアメタルの密着性と拡散防止性とを両立させることを目的とする。また、膜厚方向での組成の制御性を改善することを目的とする。【構成】 Ta[N(CH3)2]5のガスと前記Ta[N(CH3)2]5のガスを還元するNH3ガスとを用いてTaN膜を基体に形成するTaN膜形成工程と、前記基体を大気に暴露することなく、前記TaN膜形成工程により形成されたTaN膜の上に、Ta[N(CH3)2]5のガスと前記Ta[N(CH3)2]5のガスを還元するHe/H2ガスとを用いてTa膜を形成するTa膜形成工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1のガスと前記第1のガスを還元する第2のガスとを用いて第1のバリアメタル薄膜を基体に形成する第1のバリアメタル薄膜形成工程と、 前記基体を大気に暴露することなく、前記第1のバリアメタル薄膜形成工程により形成された第1のバリアメタル薄膜の上に、第3のガスと前記第3のガスを還元する第4のガスとを用いて第2のバリアメタル薄膜を形成する第2のバリアメタル薄膜形成工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

FI (5件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/88 R ,  H01L21/90 N

Fターム (78件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD20 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164226   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (3件)

• ALCVDによるCuインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-089933   出願人：シャープ株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-229160   出願人：株式会社日立製作所
• 銅メタライゼーションのためのALD窒化タンタルの集積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-533817   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of cubic-TaN thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition