絶縁ゲート型半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278157
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093457
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】高耐圧化と低オン抵抗化との両立を図るとともに,耐圧およびオン抵抗のさらなる向上を図る絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,N+ ソース領域31,P+ 拡散領域32,N+ ドレイン領域11,P- ボディ領域41およびN- ドリフト領域12を備えている。また,半導体装置100の上面側の一部を掘り込むことで形成されたゲートトレンチ21が設けられている。そして,ゲートトレンチ21の下方にはPフローティング領域52が設けられている。また,上面側であってゲートトレンチ21,21間の中間点上に,P- ボディ領域41よりも高濃度に形成されたP+ 拡散領域32が設けられている。さらに,P+ 拡散領域32の深さは,P- ボディ領域41の深さの70〜100%の範囲内である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し前記ドリフト領域と接するとともに第2導電型半導体であるボディ領域とを備えた絶縁ゲート型半導体装置において, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに第2導電型半導体であるフローティング領域と, 不純物濃度が前記ボディ領域よりも高濃度であり,前記ボディ領域に囲まれるとともに第2導電型半導体である高濃度拡散領域とを有し, 前記高濃度拡散領域は,半導体基板の厚さ方向から見て,隣り合うフローティング領域に挟まれた領域内に位置し, 前記高濃度拡散領域の下端は,前記ボディ領域の深さの70%から100%の範囲内に位置することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (5件)：

H01L29/78 652D , H01L29/78 652H , H01L29/78 652J , H01L29/78 652N , H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-293966 出願人：株式会社東芝
改善された安全動作領域を有するトレンチ絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-552429 出願人：イノベイティブ・テクノロジー・ライセンシング・エルエルシー

審査官引用 (4件)

特許第6194741号
トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055387 出願人：新電元工業株式会社
特表平5-506335

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