特許
J-GLOBAL ID：200903059796844701

半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
武政 敬三

武政 敬三 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168469
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 閾値電流が低く,FFPの半値幅が小さい半導体レーザとその製造方法を提供すること。【解決手段】 スポットサイズ変換器付き半導体レーザにおいて,AlInAsからなる1つまたは複数のクラッド層と活性層を同時に選択成長させ,スポットサイズ変換部10のAlInAsのAl組成比が,発光部20のAlInAsのAl組成比よりも大きくなるように形成する。Al組成比の大きい方が酸化スピードが速いことを利用し,選択酸化により,スポットサイズ変換部10のAlInAs部の全てを酸化させ,かつ発光部20のAlInAs部の一部だけを酸化させるよう形成する。酸化されたAlInAsは絶縁膜となり,低い屈折率を有する。
請求項（抜粋）：
スポットサイズ変換器付き半導体レーザであって,活性層を選択成長にて形成する際に,同時に選択成長にて形成されるAlInAsからなるクラッド層を少なくとも1つ有し,スポットサイズ変換部のAlInAsのAl組成比が,発光部のAlInAsのAl組成比よりも大きく,前記スポットサイズ変換部はAlInAsを選択酸化したことによる絶縁膜を含むことを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (10件)：
5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073BA01 ,  5F073CA15 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA27 ,  5F073DA31 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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