特許
J-GLOBAL ID:200903059803864730
レジスト塗布方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
畑 泰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-317473
公開番号(公開出願番号):特開2000-150339
出願日: 1998年11月09日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 吸湿性がある窒素原子を含む下地膜上においても0.2μm幅以下の微細パターン形成に適したレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】 少なくとも窒素原子を含む下地膜を露光後ベーク温度よりも高温でベークする第1の工程と、前記ベークした下地膜上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布する第2の工程と、前記ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布した下地膜を露光後ベーク温度よりも高温で再びベークする第3の工程と、化学増幅型レジストを塗布する第4の工程とを含むことを特徴とする。
請求項(抜粋):
少なくとも窒素原子を含む下地膜を露光後ベーク温度よりも高温でベークする第1の工程と、前記ベークした下地膜上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布する第2の工程と、前記ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布した下地膜を露光後ベーク温度よりも高温で再びベークする第3の工程と、化学増幅型レジストを塗布する第4の工程とを含むことを特徴とするレジスト塗布方法。
IPC (5件):
H01L 21/027
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/09 501
, G03F 7/16
FI (6件):
H01L 21/30 563
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/09 501
, G03F 7/16
, H01L 21/30 564 D
Fターム (19件):
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AC06
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA18
, 2H025EA01
, 2H025EA04
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 5F046AA28
, 5F046HA01
, 5F046JA04
, 5F046JA22
, 5F046KA04
, 5F046KA10
, 5F046LA12
, 5F046LA18
引用特許:
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