特許

J-GLOBAL ID：200903059803864730

レジスト塗布方法

発明者： 坪井 伸二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317473
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150339
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 吸湿性がある窒素原子を含む下地膜上においても0.2μm幅以下の微細パターン形成に適したレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】 少なくとも窒素原子を含む下地膜を露光後ベーク温度よりも高温でベークする第1の工程と、前記ベークした下地膜上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布する第2の工程と、前記ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布した下地膜を露光後ベーク温度よりも高温で再びベークする第3の工程と、化学増幅型レジストを塗布する第4の工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも窒素原子を含む下地膜を露光後ベーク温度よりも高温でベークする第1の工程と、前記ベークした下地膜上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布する第2の工程と、前記ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布した下地膜を露光後ベーク温度よりも高温で再びベークする第3の工程と、化学増幅型レジストを塗布する第4の工程とを含むことを特徴とするレジスト塗布方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/16

FI (6件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 564 D

Fターム (19件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA18 ,  2H025EA01 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  5F046AA28 ,  5F046HA01 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10 ,  5F046LA12 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313396   出願人：三菱電機株式会社
• レジストパターンの形成方法及びレジスト塗布装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-254283   出願人：富士通株式会社
• 化学増幅型レジストを用いた微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017203   出願人：三星電子株式会社