特許
J-GLOBAL ID：200903059808836556

金属酸化膜のエッチング方法

発明者：
土澤 泰

土澤 泰 について

, 
神 好人

神 好人 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-150087
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332138
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】金属酸化膜のエッチングに物理スパッタを用いると、膜にダメージを与え、デバイス特性に悪影響を与えるという問題があった。【解決手段】プラズマで反応性ガスを活性化させ、活性化した反応性ガスを金属酸化膜44にあてて、金属酸化膜44をエッチングする。これにより、同じエッチレートを得るのに、従来のような高エネルギーイオンを照射する必要がなくなる。また、金属酸化膜44を100°C以上に加熱してエッチングを行う。さらに、エッチレートを50nm/min以下に調整する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板を固定する固定台と、この固定台を収容する容器と、この容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備えたプラズマ装置を用いたエッチング方法において、 Bi金属とTi金属と酸素とからなる金属酸化膜が形成された基板を前記固定台に固定するステップと、 前記容器内にプラズマガスを導入し、前記プラズマ生成手段を用いて前記プラズマガスからプラズマを生成するステップと、 前記容器内に反応性ガスを導入し、この反応性ガスを前記プラズマで活性化させるステップと、 活性化した前記反応性ガスを前記金属酸化膜にあてて前記金属酸化膜をエッチングするステップと を備えることを特徴とする金属酸化膜のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (2件)：
H01L21/302 104Z ,  H01L27/10 444B
Fターム (16件)：
5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA18 ,  5F004DB13 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM