半導体面発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122720
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308457
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】単一波長性にすぐれた低しきい値、高効率な半導体発光素子の構造を提供することを目的とする。【解決手段】活性層4と、活性層4の近傍に形成されたフォトニック結晶2とを備え、フォトニック結晶2は、屈折率体2cを2次元に等間隔に並べて構成される第1の領域2aと、屈折率体2cの間隔とは異なる間隔で屈折率体2cを2次元に等間隔に並べて構成される第2の領域2bとを形成する。

請求項（抜粋）：

活性層と、前記活性層の近傍に形成されたフォトニック結晶とを有し、前記フォトニック結晶は、屈折率体を2次元に等間隔に並べて構成される第1の領域と、前記屈折率体の間隔とは異なる間隔で屈折率体を2次元に等間隔に並べて構成される第2の領域とを有することを特徴とする半導体面発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/18 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/18 , H01L 33/00 A , H01L 33/00 B , H01S 5/343

Fターム (16件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA39 , 5F041EE01 , 5F041EE23 , 5F041EE25 , 5F041FF14 , 5F073AA51 , 5F073AA66 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073AB16 , 5F073CA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068488 出願人：株式会社イオン工学研究所
面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136343 出願人：日本電気株式会社
特開昭60-186083

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引用文献：

審査官引用 (1件)

ウェーハボンディング技術による新しい光材料

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