シリコン酸化膜の形成方法及び酸化膜成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225164
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067747
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】シリコン層の表面におけるドライ酸化膜の形成を低減でき、しかも、特性の優れたシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、(イ)シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度に保たれた不活性ガス雰囲気の処理室内にシリコン層を有する基板を配置した後、少なくとも、燃焼室への酸素ガスの供給開始後、燃焼室への水素ガスの供給により水蒸気が燃焼室内で生成しそして処理室に供給されるまでの間、処理室内へ不活性ガスを供給し、次いで、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度に雰囲気を保持した状態にて水蒸気によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成し、(ロ)処理室の雰囲気温度を所望の温度まで昇温し、(ハ)該所望の温度に雰囲気を保持した状態にて水蒸気によって、更にシリコン酸化膜を形成する各工程から成る。

請求項（抜粋）：

(A)酸素ガスによる水素ガスの燃焼によって水蒸気を生成させる燃焼室と、(B)燃焼室に通じ、そして、燃焼室から供給された水蒸気によってシリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する処理室、を具備する酸化膜成膜装置を用いたシリコン酸化膜の形成方法であって、(イ)シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度に保たれた不活性ガス雰囲気の処理室内にシリコン層を有する基板を配置した後、少なくとも、燃焼室への酸素ガスの供給開始後、燃焼室への水素ガスの供給により水蒸気が燃焼室内で生成しそして処理室に供給されるまでの間、処理室内へ不活性ガスを供給し、次いで、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度に雰囲気を保持した状態にて、燃焼室から供給された水蒸気によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、(ロ)処理室の雰囲気温度を所望の温度まで昇温する工程と、(ハ)該所望の温度に雰囲気を保持した状態にて、燃焼室から供給された水蒸気によって、更にシリコン酸化膜を形成する工程、から成ることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-319940
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312121 出願人：株式会社東芝
外部燃焼酸化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-196082 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (3件)

特開平1-319940
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312121 出願人：株式会社東芝
外部燃焼酸化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-196082 出願人：日本電気株式会社

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