特許
J-GLOBAL ID：200903059874522260

半導体集積回路およびその試験方法

発明者：
目黒 哲正

目黒 哲正 について

, 
黒瀬 悦和

黒瀬 悦和 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141614
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322860
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】製造ばらつきに応じて異なる電源電圧で動作させることが可能な半導体集積回路およびその動作を保証するための試験方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路10は、電源電圧の供給を受けて動作する機能ブロックに加えて、製造プロセス条件に応じた遅延特性を把握するためのプロセスモニタ回路11と、プロセスモニタ回路11により取得されたプロセスばらつき具合に関するデータを記憶する記憶回路12と、記憶回路12に記憶されたプロセスモニタ回路11により取得されたプロセスばらつき具合に応じて、適応的に電源電圧を制御する電源電圧制御回路13とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電源電圧の供給を受けて動作する機能ブロックを含む半導体集積回路であって、 製造プロセス条件に応じた遅延特性を把握するためのプロセスモニタ回路と、 上記プロセスモニタ回路により取得されたプロセスばらつき具合に関するデータを記憶する記憶回路と、 上記記憶回路に記憶された上記プロセスモニタ回路により取得されたプロセスばらつき具合に応じて、適応的に電源電圧を制御する電源電圧制御回路と を有する半導体集積回路。
IPC (5件)：
H01L21/822 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04
FI (6件)：
H01L27/04 T ,  H01L21/66 Y ,  H01L21/82 S ,  H01L21/82 F ,  H01L27/04 M ,  G01R31/28 V
Fターム (33件)：
2G132AA00 ,  2G132AA03 ,  2G132AA08 ,  2G132AD08 ,  2G132AK07 ,  2G132AK16 ,  2G132AL00 ,  4M106AA02 ,  4M106AA08 ,  4M106AC02 ,  4M106BA14 ,  4M106DJ38 ,  5F038AV02 ,  5F038AV10 ,  5F038AV15 ,  5F038BG10 ,  5F038CD09 ,  5F038DF01 ,  5F038DF07 ,  5F038DT09 ,  5F038DT12 ,  5F038DT13 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB01 ,  5F064BB33 ,  5F064EE47 ,  5F064FF08 ,  5F064FF13 ,  5F064FF16 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42 ,  5F064HH10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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