特許
J-GLOBAL ID：200903059879884586

面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光空間伝送システム。

発明者：
鈴木 貞一

鈴木 貞一 について

, 
長尾 太介

長尾 太介 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-126571
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283028
出願日： 2007年05月11日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】モード制御を効果的に行うことができるVCSELを提供する。【解決手段】VCSEL100は、p型のGaAs基板102と、GaAs基板102上に形成されたp型の下部DBR106と、下部DBR106上に形成され、光を発生する活性層112と、活性層112上に形成され、発振波長の光を選択的に吸収または反射し、レーザ光のモードを制御とする光モード制御層120と、光モード選択層120上に形成された上部DBR124とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 基板上に形成された下部反射鏡と、 下部反射鏡上に形成され、光を発生する活性層と、 活性層上に形成され、下部反射鏡との間で共振器を形成する上部反射鏡と、 下部反射鏡と上部反射鏡の間に形成され、かつ活性層で発せられた光を選択的に吸収しまたは反射する開口部が形成され、レーザ光のモードを光学的に制御する光モード制御層と、 下部反射鏡と上部反射鏡との間に形成され、駆動時に流される電流を狭窄する電流狭窄層と、 を有する面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (11件)：
5F173AC03 ,  5F173AC14 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF72 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP66 ,  5F173AR32
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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