特許
J-GLOBAL ID：200903044763942522

表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
植木 伸明

植木 伸明 について

, 
小山 二三夫

小山 二三夫 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-393580
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158922
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 所望の共振器の反射率を得るためのVCSEL構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る表面発光型半導体レーザ素子100は、半導体基板1と、基板1上に形成された下部多層反射膜2と、下部多層反射膜2上に形成された活性層5およびこれを挟むスペーサ層4と、電流狭窄層(AlAs層6および酸化領域6a)、上部多層反射膜7と、出射領域を規定する開口9aを含み、該開口9aによって上部多層反射膜7の最上層が露出されるように上部多層反射膜7に形成された頂部電極9と、開口9aを覆うように頂部電極9上に形成された付加反射膜10とを含む。付加反射膜10は、少なくとも開口9a内において上部多層反射膜7の最上層と電気的に接触する導電性膜を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 基板上に形成された第1の反射層と、 第1の反射層上に形成された活性領域と、 活性領域上に形成された第2の反射層と、 出射領域を規定する開口を含み、該開口によって第2の反射層の最上層が露出されるように第2の反射層上に形成された電極と、 開口を覆うように電極上に形成された第3の反射層とを含み、 第3の反射層は、少なくとも開口内において第2の反射層の最上層と電気的に接触する導電性膜を含む、表面発光型半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (10件)：
5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA15 ,  5F073EA18 ,  5F073EA24
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5,428,634号明細書
審査官引用 (6件)
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