特許
J-GLOBAL ID：200903022634298303
面発光型半導体レーザー及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323982
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093634
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 素子の抵抗を低減しつつ、単一横モードのレーザー光の放出率を向上させることの可能な面発光型半導体レーザーを提供する。【解決手段】 半導体基板上に、半導体層よりなる第二反射鏡と、エッチストップ層と、第二クラッド層と、活性層と、第一クラッド層と、半導体層よりなる第一反射鏡と、コンタクト層とが順次積層され、これら各層のいずれかの層中若しくは層間に存在する電流狭窄層と、コンタクト層と電気的に接続した第一オーミック電極と、前記半導体基板と電気的に接続した第二オーミック電極とを有する面発光型半導体レーザーにおいて、第一反射鏡上には不純物高ドープ領域が設けられ、該不純物高ドープ領域内には不純物を添加しない領域が存在し、該不純物を添加しない領域の外径cが前記電流狭窄領域の外径a以下である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体基板上に、半導体層よりなる第二反射部材と、エッチストップ層と、第二クラッド層と、活性層と、第一クラッド層と、半導体層よりなる第一反射部材と、コンタクト層とが順次積層され、これら各層のいずれかの層中若しくは層間に存在する電流狭窄層と、コンタクト層と電気的に接続した第一オーミック電極と、前記半導体基板と電気的に接続した第二オーミック電極とを有する面発光型半導体レーザーにおいて、第一反射部材上には不純物高添加領域が設けられ、該不純物高添加領域内には不純物を添加しない領域が存在し、該不純物を添加しない領域の外径が前記電流狭窄領域の外径以下であることを特徴とする面発光型半導体レーザー。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F073AA07
, 5F073AA53
, 5F073AB17
, 5F073DA14
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
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