特許

J-GLOBAL ID：200903059880189646

基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 宇井 明生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-237011
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060429
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決方法】内部が真空に保持されたチャンバー内で、対向電極に対して対向するように配置されたRF電極に対し、第1の周波数の第1のRF電圧及び前記第1の周波数の1/2の整数倍であって、前記第1の周波数と異なる第2の周波数の第2のRF電圧を、それぞれ第1のRF電圧印加手段及び第2のRF電圧印加手段からゲートトリガー装置によって互いに位相制御、重畳して印加できるようにして、目的とする基板のプラズマ処理装置を構成する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

内部が真空に保持されたチャンバーと、 前記チャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたRF電極と、 前記チャンバー内において、前記RF電極と対向するように配置された対向電極と、 前記RF電極に対して、互いに異なる周波数を有する複数のRF電圧を印加するためのRF電圧印加手段と、 前記第1のRF電圧印加手段と前記第2のRF電圧印加手段とを接続し、前記第1の電圧及び前記第2の電圧が前記RF電極に対して重畳して印加されるように位相制御するためのゲートトリガー装置とを具え、 前記複数のRF電圧から選択された1つのRF電圧の周波数に対して、残りのRF電圧の周波数が、前記選択された1つのRF電圧の前記周波数の1/2の整数倍であることを特徴とする、基板のプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  H05H 1/00

FI (4件)：

H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M ,  H05H1/00 A

Fターム (18件)：

5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-127051   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-346196   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平2-224239
  
• プラズマ処理装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-401178   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-224239