プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127051
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234331
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】無機系材料膜をマスクとして有機系材料膜をエッチングする際に、高エッチングレートで、かつ無機系材料膜に対して高エッチング選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】チャンバー1内に一対の電極2,16を対向して配置し、一方の電極2に有機系材料膜を有する被処理基板Wを支持させた状態で電極2に高周波電力を印加して一対の電極2,16間に高周波電界を形成するとともに、チャンバー1内に処理ガスを供給し、電界により処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板Wの有機系材料膜を無機系材料膜をマスクとしてプラズマエッチングするにあたり、電極2に印加する高周波電力の周波数を50〜150MHzとする。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に一対の電極を対向して配置し、一方の電極に有機系材料膜を有する被処理基板を支持させた状態で少なくとも一方の電極に高周波電力を印加して前記一対の電極間に高周波電界を形成するとともに、チャンバー内に処理ガスを供給し、前記電界により処理ガスのプラズマを形成し、該プラズマにより前記被処理基板の前記有機系材料膜を無機系材料膜に対して選択的にプラズマエッチングするにあたり、前記少なくとも一方の電極に印加する高周波電力の周波数を50〜150MHzとすることを特徴とするプラズマエッチング方法。

Fターム (22件)：

5F004AA02 , 5F004AA03 , 5F004BA04 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BD03 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004EA06

引用特許：

審査官引用 (15件)

プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-261877 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-296384 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-076354 出願人：株式会社東芝

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