特許
J-GLOBAL ID：200903059890004482

半導体記憶装置

発明者：
中 島 博 臣

中 島 博 臣 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-064338
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242950
出願日： 2006年03月09日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】薄膜化されたBOX層の静電破壊を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、P型支持基板10と、支持基板上の絶縁膜20と、絶縁膜上の半導体層30と、支持基板内に設けられたN型ウェル40と、N型ウェル内に設けられたP型ウェル50と、半導体層に形成されたN型ソースSおよびN型ドレインD、並びに、ソースとドレインとの間に形成されたP型のボディ領域Bを含むメモリセルと、P型ウェルの上方にある半導体層に形成されたN型ソースおよびN型ドレイン、並びに、このソースとドレインとの間に形成されたP型チャネル領域Cを含む第1のロジック回路素子NMOSと、N型ウェルの上方にある半導体層に形成されたP型ソースおよびP型ドレイン、並びに、このソースとドレインとの間に形成されたN型チャネル領域を含む第2のロジック回路素子とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体からなる支持基板と、 前記支持基板上に設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、 前記支持基板内に設けられた第2導電型のウェルと、 前記第2導電型のウェル内に設けられた第1導電型のウェルと、 前記第1導電型のウェルの上方にある前記半導体層に形成された第2導電型のソースおよび第2導電型のドレイン、並びに、前記ソースと前記ドレインとの間に形成され電気的に浮遊状態でありデータを記憶するために電荷を蓄積または放出するボディ領域を含むメモリセルと、 前記第1導電型のウェルの上方にある前記半導体層に形成された第2導電型のソースおよび第2導電型のドレイン、並びに、前記ソースと前記ドレインとの間に形成された第1導電型のチャネル領域を含む第1のロジック回路素子と、 前記第2導電型のウェルの上方にある前記半導体層に形成された第1導電型のソースおよび第1導電型のドレイン、並びに、前記ソースと前記ドレインとの間に形成された第2導電型のチャネル領域を含む第2のロジック回路素子とを備えた半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L27/10 321 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 623A
Fターム (84件)：
5F048AA00 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F083AD10 ,  5F083AD69 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083NA01 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F110AA22 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110DD25 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-361603   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (6件)
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