特許
J-GLOBAL ID：200903083380182457

半導体記憶装置及び半導体集積回路

発明者：
大 澤 隆

大 澤 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-188413
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026353
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】安定な動作が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、FBC1と、NFET2及びPFET3を有する周辺回路4とをSOI基板5上に、絶縁層6で分離して形成したものである。SOI基板5は、N基板7上に形成されるN拡散層8と、N拡散層8の一部に形成されるP拡散層9と、N拡散層8及びP拡散層9の上面に形成される薄膜状の埋め込み酸化膜10とを有する。PFET3の下方にN拡散層14を、NFET2の下方にP拡散層12を配置するため、NFET2やPFET3のバックチャネルを確実にオフでき、埋め込み酸化膜10が薄いPD-SOI上にFBC1を配置する場合にも周辺回路4を安定に動作させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、埋め込み絶縁膜を介して形成される第1半導体層と、 前記第1半導体層に形成されるフローティングのチャネルボディと、このチャネルボディの第1の面側にチャネルを形成するための主ゲートと、前記第1の面とは反対側の第2の面に容量結合するように形成される補助ゲートと、を有するFBC(Floating Body Cell)と、 絶縁膜により前記FBCと分離して前記第1半導体層に形成され、前記FBCと信号の送受を行う論理回路と、 前記FBCの下方に位置し、前記埋め込み絶縁膜の下面に沿って形成される第2半導体層と、 前記論理回路の下方に位置し、前記埋め込み絶縁膜の下面に沿って形成される第3半導体層と、を備え、 前記第2及び第3半導体層は、互いに異なる電位に設定されることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (12件)：
H01L21/8242 ,  G11C11/404 ,  G11C11/407 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786
FI (12件)：
H01L27/10 321 ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 331G ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/08 321K ,  H01L29/78 613B ,  H01L21/82 F ,  H01L27/04 G ,  H01L27/04 T ,  G11C11/34 352C ,  G11C11/34 354F
Fターム (84件)：
5F038AV03 ,  5F038AV15 ,  5F038BB07 ,  5F038BG02 ,  5F038BG06 ,  5F038BG09 ,  5F038CD04 ,  5F038DF05 ,  5F038DT12 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA12 ,  5F048BA13 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC16 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048BH04 ,  5F064BB13 ,  5F064BB24 ,  5F064BB33 ,  5F064BB40 ,  5F064CC10 ,  5F064CC12 ,  5F064FF08 ,  5F064FF27 ,  5F064FF42 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083LA08 ,  5F083NA01 ,  5F083PR42 ,  5F083PR46 ,  5F083PR52 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA08 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA29 ,  5F110AA08 ,  5F110AA15 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5M024AA40 ,  5M024AA58 ,  5M024BB30 ,  5M024CC20 ,  5M024FF12 ,  5M024FF13 ,  5M024FF23 ,  5M024HH09 ,  5M024HH11 ,  5M024HH14 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP05 ,  5M024PP09 ,  5M024PP10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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