特許
J-GLOBAL ID：200903059896219286
半導体素子のキャパシターの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385722
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237398
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 誘電体膜として用いられるTaON薄膜の漏洩電流及び誘電特性を改善させ得る半導体素子のキャパシターの製造方法を提供することである。【解決手段】 所定の下部パターンが形成され、層間絶縁膜で覆われた半導体基板を提供し、前記層間絶縁膜上にキャパシター下部電極を形成し、前記下部電極上に、誘電体膜としてTaON薄膜が形成されるように、非晶質状態のTaON薄膜を蒸着し、非晶質TaON薄膜を真空状態でアニーリングし、前記TaON薄膜からなった誘電体膜上にキャパシター上部電極を形成することからなる。
請求項（抜粋）：
所定の下部パターンが形成され、層間絶縁膜で覆われた半導体基板を提供する段階と、前記層間絶縁膜上にキャパシター下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に、誘電体膜としてTaON薄膜が形成されるように、非晶質状態のTaON薄膜を蒸着し、非晶質TaON薄膜を真空状態でアニーリングする段階と、前記TaON薄膜からなった誘電体膜上にキャパシター上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子のキャパシターの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/316 X
, H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 B
, H01L 27/10 621 C
