特許
J-GLOBAL ID：200903059923073698

洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法、製造方法および半導体ウェーハ

発明者：
雨 宮 正 博

雨 宮 正 博 について

, 
田 中 善 雄

田 中 善 雄 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361149
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189943
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】半導体ウェーハなどの表面汚染に対して優れた洗浄力を有し、且つ、ウェーハに対する食刻が十分に制御された洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法、ウェーハの表面における付着パーティクルが極めて少なく、且つ、表面粗れが極めて少ない半導体ウェーハの提供。【解決手段】下記一般式(1)【化1】(式中、R1は、炭素数が6〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基などを示す。EOはオキシエチレン基を示し、POはオキシプロピレン基を示す。xおよびyは、それぞれ独立に1〜20の整数を示し、且つ、x/(x+y)の値が0.5以上である。)で表される非イオン界面活性剤と、第4級アンモニウム水酸化物を含むことを特徴とする洗浄剤組成物、該組成物を用いた半導体ウェーハの洗浄方法、製造方法、および半導体ウェーハ。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)
IPC (6件)：
C11D1/722 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/39 ,  C11D17/00 ,  H01L21/304
FI (7件)：
C11D1/722 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/39 ,  C11D17/00 ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647B
Fターム (10件)：
4H003AC07 ,  4H003AC23 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EB12 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003ED02 ,  4H003EE04 ,  4H003FA21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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