窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高石橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279763
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045153
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】低温バッファ層の膜厚をウエハ全面において均一にすることにより、ウエハ全面における転位密度を均一にする窒化物半導体の製造方法、その方法により得られる窒化物半導体を有する窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、基板上に少なくとも第1及び第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層の上に成長させる前記第2の窒化物半導体層の成長温度を700〜1300°Cとし、前記第1の窒化物半導体層の成長速度及び成長温度をそれぞれ0.5〜2.3μm/時及び430〜580°Cの範囲で選択する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1及び第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層の上に成長させる前記第2の窒化物半導体層の成長温度を700〜1300°Cとし、前記第1の窒化物半導体層の成長速度を2μm/時以上2.3μm/時未満、かつ成長温度を480〜520°Cとすることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01L29/80 H

Fターム (39件)：

5F041AA03 , 5F041AA09 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045HA06 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

特公平8-8217号公報

審査官引用 (5件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-270988 出願人：シャープ株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-206360 出願人：シャープ株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-016826 出願人：株式会社東芝

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