シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：荒船良男 , 荒船博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-152697
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356416
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】パーティクルの付着を確実に抑制することができ、かつ、裏面に微小な凹凸が生じるのを抑制することのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板にSC1洗浄を施した後に、オゾン水を用いてシリコン単結晶基板の両主面にオゾン酸化膜を形成する。次いで、水素雰囲気の反応室内でシリコン単結晶基板に熱処理を施す。その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板にSC1洗浄を施すSC1洗浄工程と、該SC1洗浄工程後に、オゾン水を用いてシリコン単結晶基板の両主面にオゾン酸化膜を形成するオゾン水洗浄工程と、該オゾン水洗浄工程後に、裏面がオゾン酸化膜で被覆されたシリコン単結晶基板を反応室内のサセプタ上に載置して水素雰囲気中で熱処理を施し、該シリコン単結晶基板の主表面に形成されているオゾン酸化膜を除去する水素熱処理工程と、該水素熱処理工程後に、前記反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程とを備えることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 , H01L21/205

FI (3件)：

H01L21/304 642B , H01L21/304 647Z , H01L21/205

Fターム (5件)：

5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045BB14 , 5F045EB15 , 5F045HA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-113620
シリコンウエーハ表面の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-090598 出願人：信越半導体株式会社
半導体製造装置およびこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-208608 出願人：信越半導体株式会社

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