半導体基板の洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370265
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173998
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】半導体基板、特にシリコンウエハの製造において、金属汚染を除去でき、パーティクルを除去でき、無機イオン類を除去できる半導体基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】半導体基板を薬液で洗浄する洗浄方法であって、フッ酸とオゾンを含む混合溶液で該半導体基板を洗浄する第1の洗浄工程と、アルカリ性薬液と酸化剤を含む混合溶液で該半導体基板を洗浄する第2の洗浄工程と、塩酸とオゾンを含む混合溶液で該半導体基板を洗浄する第3の洗浄工程を含み、第1の洗浄工程より後に第2の洗浄工程を実施し、第2の洗浄工程より後に第3の洗浄工程を実施することを特徴とする半導体基板の洗浄方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板を薬液で洗浄する洗浄方法であって、フッ酸とオゾンを含む混合溶液で該半導体基板を洗浄する第1の洗浄工程と、アルカリ性薬液と酸化剤を含む混合溶液で該半導体基板を洗浄する第2の洗浄工程と、塩酸とオゾンを含む混合溶液で該半導体基板を洗浄する第3の洗浄工程を含み、第1の洗浄工程より後に第2の洗浄工程を実施し、第2の洗浄工程より後に第3の洗浄工程を実施することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 , B08B 3/08 , C11D 7/08 , C11D 7/18

FI (5件)：

H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 Z , B08B 3/08 A , C11D 7/08 , C11D 7/18

Fターム (19件)：

3B201AA03 , 3B201AB01 , 3B201AB44 , 3B201BB02 , 3B201BB93 , 3B201BB94 , 3B201BB95 , 3B201BB96 , 3B201CB15 , 4H003DA15 , 4H003DB01 , 4H003EA05 , 4H003EA23 , 4H003EA31 , 4H003EB13 , 4H003EB14 , 4H003EE03 , 4H003EE04 , 4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-114428
シリコンウエーハの清浄化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-068162 出願人：株式会社ピュアレックス, 野村マイクロ・サイエンス株式会社, 株式会社東芝
特開昭58-100433

全件表示

前のページに戻る