特許
J-GLOBAL ID：200903060050494363

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-262619
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085048
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】アモルファス酸化物膜をチャネル層に適用した薄膜トランジスタの閾値電圧を制御する技術を提供することを目的とする。【解決手段】複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、各電界効果型トランジスタのチャネル層11a及び11bは、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、アモルファス酸化物の元素組成比が異なることで、電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、 前記各電界効果型トランジスタのチャネル層は、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、 前記各電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なるように前記アモルファス酸化物の元素組成比を変化させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612B
Fターム (21件)：
5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM