特許
J-GLOBAL ID：200903060107204782

パワー半導体モジュール

発明者：
田久保 拡

田久保 拡 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-332461
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142073
出願日： 2005年11月17日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】フィルタとして使用するコンデンサを不要とすることで、部品を削減し装置を小型化できるようにする。【解決手段】図はインバータを構成する整流回路部とインバータ回路部の回路パターン例を示し、ここでは特に整流回路部の回路パターンの面積71b,71c,71dを互いにほぼ等しい大きさとなるようにして容量アンバランスを無くすようにし、かつ絶縁基板16の浮遊容量をコンデンサとして利用することにより、従来必要とされていたフィルタ用コンデンサを省略可能とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単相または多相交流電源に接続され、樹脂ケース内部に半導体素子を内蔵したパワー半導体モジュールであって、放熱用金属ベースと前記半導体素子とを一枚または複数枚の絶縁基板により絶縁する構造を備え、この絶縁基板上に配置される交流入力側回路パターンの交流各相の電極面積を互いにほぼ同じ大きさにすることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
H01L 25/18 ,  H01L 25/07
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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