電力用半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-142408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252305
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】半導体素子の並列数に関わらず、必要かつ十分な電気的性能を得ることが可能であり、製造も容易なボンディングワイヤを用いた電力用半導体装置を提供する。【解決手段】複数の第1半導体素子とボンディングワイヤと半田付けにより各第1半導体素子の電気的接続を行うソース、ドレイン及びゲートの電極パターン21a,20a,22aとが形成された第1絶縁基板23と、複数の第2の半導体素子とボンディングワイヤと半田付けにより各第2半導体素子の電気的接続を行うソース、ドレイン及びゲートの電極パターン21b,20b,22bとが形成された第2絶縁基板23を備え、第1及び第2絶縁基板上のゲート電極パターンはそれぞれの各半導体素子のゲート配線を1つに纏め、第1絶縁基板上のソース及びゲートの電極パターン及び第2絶縁基板上のソース及びゲートの電極パターンをそれぞれほぼ平行かつ近距離に配置する。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

正極側外部電極と交流側に接続される出力電極との間に複数の第1の半導体素子を含む正極側回路と、前記出力電極と負極側外部電極の間に複数の第2の半導体素子を含む負極側回路からなる電力用半導体装置であって、前記複数の第1の半導体素子と、ボンディングワイヤおよび半田付けの少なくとも一方により前記各第1の半導体素子の電気的接続を行うソース、ドレインおよびゲートのそれぞれの電極パターンが形成された第1の絶縁基板と、前記複数の第2の半導体素子と、ボンディングワイヤおよび半田付けの少なくとも一方により前記各第2の半導体素子の電気的接続を行うソース、ドレインおよびゲートのそれぞれの電極パターンが形成された第2の絶縁基板と、前記各第1、第2の半導体素子、前記第1、第2の絶縁基板およびボンディングワイヤを覆う筐体と、を備え、第1の絶縁基板上のゲート電極パターンは複数の第1の半導体素子のゲート配線を1つにまとめており、第2の絶縁基板上のゲート電極パターンは複数の第2の半導体素子のゲート配線を1つにまとめており、第1の絶縁基板上のソース電極パターンとゲート電極パターンを互いに対向するように横並びでかつ近距離に配置し、第2の絶縁基板上のソース電極パターンとゲート電極パターンを互いに対向するように横並びでかつ近距離に配置したことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H01L25/07 , H01L25/18 , H02M1/00

FI (2件)：

H01L25/04 C , H02M1/00 M

Fターム (6件)：

5H740AA05 , 5H740BA12 , 5H740BB05 , 5H740MM18 , 5H740PP01 , 5H740PP02

引用特許：

出願人引用 (1件)

パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-085859 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-220106 出願人：株式会社東芝
パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-278487 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-040090 出願人：株式会社日立製作所

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