特許
J-GLOBAL ID：200903060191964878
半導体リレーシステムの過電流遮断検出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 保 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-095138
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 熱遮断回路内蔵型MOSFETの遮断が過熱制御遮断か、過熱自己遮断か容易に判断する。【解決手段】 熱遮断回路内蔵型MOSFETに直列接続して負荷3の供給電流を検出する電流検出手段と,基準設定値よりも大きい時に駆動回路4を制御し熱遮断回路内蔵型MOSFETのゲートの印加電圧をオフし負荷に電源供給を停止する過電流制御手段と,負荷に並列接続し熱遮断回路内蔵型MOSFETのソース電圧検出手段と,熱遮断回路内蔵型MOSFETをオンする指令信号がマイクロコンピュータから駆動回路に出力時、ソース電圧検出手段の検出電圧値が設定基準電圧値よりも低ければ熱遮断回路内蔵型MOSFETの内蔵自己熱遮断回路を機能させてオフしたと判定する。
請求項（抜粋）：
熱遮断回路内蔵型MOSFETを用い、マイクロコンピュータでチャージポンプ回路によって電源電圧を昇圧したチャージポンプ出力電圧を駆動回路を介して該熱遮断回路内蔵型MOSFETのゲートに印加することによりオン・オフ制御して負荷に電源を供給する半導体リレーシステムにおいて,前記熱遮断回路内蔵型MOSFETに直列に接続して負荷に供給される電流を検出する電流検出手段と,前記電流検出手段によって検出した電流が予め定格電流値よりも高い電流値に設定した基準設定値よりも大きいときに前記駆動回路を制御することにより前記熱遮断回路内蔵型MOSFETのゲートに印加する電圧をカットオフして前記負荷に電源の供給を停止する過電流制御手段と,前記負荷に並列に接続して前記熱遮断回路内蔵型MOSFETのソース側に発生するソース電圧を検出するソース電圧検出手段と,前記熱遮断回路内蔵型MOSFETをオンする指令信号が前記マイクロコンピュータから前記駆動回路に出力されているときに、前記ソース電圧検出手段によって検出された電圧値が予め設定した基準電圧値よりも低い電圧を検出することによって前記熱遮断回路内蔵型MOSFETが内蔵する自己熱遮断回路を機能させてオフしたものと判定する自己熱遮断判定手段とを備えてなる半導体リレーシステムの過電流遮断検出装置。
IPC (8件)：
H02H 3/087
, B60R 16/02 650
, B60R 16/02
, G01R 19/165
, G01R 31/02
, H02H 3/08
, H02H 5/04
, H02H 7/12
H02H 3/087
, B60R 16/02 650 R
, B60R 16/02 650 S
, G01R 19/165 L
, G01R 31/02
, H02H 3/08 T
, H02H 3/08 P
, H02H 5/04 E
, H02H 7/12 B
2G014AA02
, 2G014AA03
, 2G014AA27
, 2G014AB24
, 2G014AB47
, 2G014AB51
, 2G014AC19
, 2G035AA09
, 2G035AA15
, 2G035AB03
, 2G035AC15
, 2G035AD02
, 2G035AD03
, 2G035AD10
, 2G035AD13
, 2G035AD20
, 2G035AD23
, 2G035AD26
, 2G035AD28
, 2G035AD38
, 2G035AD44
, 2G035AD47
, 2G035AD48
, 2G035AD55
, 2G035AD56
, 2G035AD65
, 5G004AA04
, 5G004AB02
, 5G004BA03
, 5G004BA04
, 5G004BA05
, 5G004DA02
, 5G004DC12
, 5G004EA01
, 5G004FA01
, 5G053AA01
, 5G053AA02
, 5G053AA07
, 5G053BA01
, 5G053CA02
, 5G053EB02
, 5G053EC03
, 5G053FA05
