特許
J-GLOBAL ID:200903060225543052
固体撮像素子及び撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-300066
公開番号(公開出願番号):特開2005-072966
出願日: 2003年08月25日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】高感度画素と低感度画素の感度比を、変化させることができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子100は、半導体基板表面に行方向(X方向)とこれに直交する列方向(Y方向)に正方格子状に配設された複数の光電変換素子150、160によって、光強度を電荷信号に変換し蓄積する。垂直転送部110は、第1光電変換素子150及び第2光電変換素子160からの電荷を列方向に転送するもので、第1光電変換素子150及び第2光電変換素子160の電荷を垂直転送チャネルに読み出す第1電荷読み出し領域151及び第2電荷読み出し領域161を含む。第1電荷読み出し領域151と第2電荷読み出し領域161は、異なる位相で駆動される垂直転送電極111又は112に対応する位置に設けられる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板表面に行方向とこれに直交する列方向に正方格子状に配設された複数の光電変換素子を含む固体撮像素子であって、
前記光電変換素子からの電荷を前記列方向に転送する垂直転送部と、
前記垂直転送部からの電荷を、前記行方向に転送する水平転送部と、
前記水平転送部によって転送される電荷に応じた信号を出力する出力部とを有し、
前記光電変換素子は、相対的に高感度の画像信号を得るための信号電荷を蓄積する複数の第1光電変換素子と、相対的に低感度の画像信号を得るための信号電荷を蓄積する複数の第2光電変換素子とを含み、
前記垂直転送部は、列方向に配設された複数の前記光電変換素子に対応して前記半導体基板に形成された複数本の垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルの各々を平面視上交差するように形成された複数本の垂直転送電極と、前記光電変換素子の電荷を前記垂直転送チャネルに読み出す電荷読み出し領域とを含み、
前記電荷転送電極は、前記光電変換素子に対応してそれぞれ複数本設けられ、
前記第1光電変換素子に対応する前記電荷読み出し領域と前記第2光電変換素子に対応する前記電荷読み出し領域は、それぞれ、異なる位置関係にある前記垂直転送電極に対応する位置に設けられる固体撮像素子。
IPC (3件):
H04N5/335
, H01L27/148
, H04N9/07
FI (4件):
H04N5/335 F
, H04N5/335 Q
, H04N9/07 A
, H01L27/14 B
Fターム (26件):
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA20
, 4M118CA25
, 4M118DA12
, 4M118DB07
, 4M118DB08
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118FA07
, 4M118FA13
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 4M118GC08
, 4M118GC14
, 4M118GD04
, 5C024CX46
, 5C024CX47
, 5C024GX22
, 5C024GY02
, 5C065BB48
, 5C065DD07
, 5C065DD17
, 5C065EE05
, 5C065EE06
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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