特許

J-GLOBAL ID：200903060226721086

異なる圧縮領域を有するアンダー・パッドおよび研磨パッドを用いた化学機械式研磨(CMP)方法

発明者： サン・シー・キム ,  レイ・ピン・ライ ,  ラジブ・バジャジ ,  アダム・マンゾニー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199845
公開番号（公開出願番号）：特開平11-028658
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの中央部および縁部間における研磨均一性を改善し、研磨速度の制御可能度を高める化学機械式研磨方法を提供する。【解決手段】 化学機械式研磨(CMP)方法は、研磨パッド(21)およびアンダー・パッド(20)を用いる。アンダー・パッド(20)は縁部分(24)および中央部分(22)を有する。中央部分(22)は、部分(24)のショアD硬度よりも低いショアD硬度,縁部分(24)よりも高いスラリ吸収性,または縁部分(24)よりも高い圧縮性のいずれかを有する。この複合材アンダー・パッド(20)は、半導体ウエハ(39)の研磨均一性を改善する。加えて、研磨パッド(20,21)の使用により、当技術において以前に得ることができたよりも、高い最終ウエハ断面制御性を達成することができる(図4ないし図6)。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ(38,39)の研磨方法であって:研磨システム(30)を用意する段階であって、該研磨システム(30)はテーブル(31)を有し、研磨パッド(21)およびアンダー・パッド(20)が前記テーブル(31)の表面に隣接して配置され、前記アンダー・パッド(20)は、前記テーブル(31)に対して前記研磨パッド(21)を支持し、前記アンダー・パッド(20)は第1部分(22)および第2部分(24)を有し、該第1部分(22)は第1圧縮性を有し前記アンダー・パッド(20)の中央部分を含み、前記第2部分(24)は第2圧縮性を有し、前記第1圧縮性は前記第2圧縮性よりも高く、前記第2部分(24)は、前記アンダー・パッド(20)の周辺部分を含む前記研磨システム(30)を用意する段階;前記半導体ウエハ(38,39)を、前記研磨パッド(21)と接触させる段階;および前記研磨パッド(21)を用いて、前記半導体ウエハ(38,39)の表面から物質を研磨する段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨パッド及びこれを用いた被表面処理加工物の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205563   出願人：ソニー株式会社
• ラッピング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248570   出願人：株式会社村田製作所
• 研磨パッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-292569   出願人：株式会社日立製作所