特許
J-GLOBAL ID：200903025218544485
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170909
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368263
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、特性のばらつきを低減する。【解決手段】 フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体素子において、発光面である基板表面をラフ面とし、放射光を当該面で散乱させる。
請求項（抜粋）：
基板の上にIII族窒化物系化合物半導体が積層されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、発光観測面側の基板面が光散乱性である、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
Fターム (16件)：
5F041AA07
, 5F041AA10
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CB15
, 5F041DA02
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA18
, 5F041DB02
, 5F041DB09
