特許
J-GLOBAL ID：200903091302206555
半導体発光デバイスおよびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059187
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280608
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 III族窒化物の小領域表面実装LEDチップの製造および動作に関連する様々な問題に取り組みつつ、半導体デバイスの製造および動作を改善すること。【解決手段】 本発明にかかる発光デバイスは、基層の一面の上に形成され、複数の半導体層および該層内における活性領域を有する半導体構造と、上記構造におけるそれぞれ異なる半導体層に接触する第1および第2の伝導性電極と、を具備し、上記基層がn>2.0の屈折率および上記活性領域の発光波長でα>3cm<SP>-1</SP>の光吸収係数αを有する構成を採る。より好ましい実施形態では、基層材料は、n>2.3の屈折率を有し、基層材料の光吸収係数αは、α<1cm<SP>-1</SP>である。
請求項（抜粋）：
発光デバイスであって、基層の一面の上に形成され、複数の半導体層および該層内における活性領域を有する半導体構造と、前記基層の一面の上における前記構造のそれぞれ異なる半導体層と接触する第1および第2伝導性電極と、を具備し、前記基層は、n>2.0の屈折率および前記活性領域の発光波長でα<3cm<SP>-</SP><SP>1</SP>の光吸収係数αを有する材料を含むことを特徴とする発光デバイス。
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041CA13
, 5F041CA22
, 5F041CA24
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041FF11
, 5F041FF13
