特許
J-GLOBAL ID：200903060270192422
III族窒化物結晶およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-068614
公開番号（公開出願番号）：特開2007-246303
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】光デバイスまたは電子デバイスに用いることができるIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】ガス純化装置320は、10ppm以下の酸素および/または10ppm以下の水分を含むArガスをグローブボックス300の内部空間301との間でパイプ330,340を介して循環する。そして、グローブボックス300中で外部反応容器20の内部に設置された反応容器10Aを新しい反応用器10Bに交換し、新しい反応容器10Bに金属Naと金属Gaとを所定のモル比率で入れるとともに、新しい反応容器10Bと外部反応容器20との間に金属Naを入れる。その後、外部反応容器20の本体部21に蓋部22をメタルシールで接着し、反応容器10Bおよび外部反応容器20を800°Cに加熱するとともに、反応容器10B内に窒素ガスを供給してGaN結晶を結晶成長させる。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
III族金属元素と、
窒素元素と、
103cm-2以下の転位密度と、
1020cm-3以下の酸素元素とを含むIII族窒化物結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EA06
, 4G077EB06
, 4G077HA02
, 4G077HA12
