特許
J-GLOBAL ID：200903067674110084
III族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-116879
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298269
出願日： 2004年04月12日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 光の吸収係数の小さいIII族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】 反応容器51内にアルカリ金属元素含有物1とIII族元素含有物2と、窒素元素含有物3とを導入する工程と、反応容器51内に少なくともアルカリ金属元素、III族元素および窒素元素を含有する融液5を形成する工程と、融液5からIII族窒化物結晶6を成長させる工程とを含み、少なくとも反応容器51にアルカリ金属元素含有物1を導入する工程において、アルカリ金属元素含有物を水分濃度が1.0ppm以下に管理された乾燥容器100内で取り扱うことを特徴とするIII族窒化物結晶基板の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
アルカリ金属元素、III族元素および窒素元素を含有する融液からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶基板の製造方法であって、
反応容器内に前記アルカリ金属元素を含有するアルカリ金属元素含有物と、前記III族元素を含有するIII族元素含有物と、前記窒素元素を含有する窒素元素含有物とを導入する工程と、前記反応容器内に少なくとも前記アルカリ金属元素、前記III族元素および前記窒素元素を含有する融液を形成する工程と、前記融液からIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含み、
少なくとも前記反応容器に前記アルカリ金属元素含有物を導入する工程において、前記アルカリ金属元素含有物を水分濃度が1.0ppm以下に管理された乾燥容器内で取り扱うことを特徴とするIII族窒化物結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/38
, C30B9/10
, C30B11/06
, H01L21/208
C30B29/38 D
, C30B9/10
, C30B11/06
, H01L21/208 D
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB04
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CD05
, 4G077EA01
, 4G077EB06
, 4G077EG01
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077MB12
, 4G077MB21
, 4G077MB32
, 5F053AA03
, 5F053AA44
, 5F053FF05
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053LL03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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