半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229735
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068105
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】絶縁ゲート型トランジスタのゲート絶縁膜に係わる性能を向上させる。【解決手段】ゲート電極は、12オフ状態でゲート電極12のうちのゲート絶縁膜4に接する領域に空乏層を生じ、オン状態でその空乏層が消滅するか空乏層幅が狭くなる。

請求項（抜粋）：

チャネルが形成される第1の半導体領域にゲート絶縁膜を挟んで対向するゲート電極を備えた半導体装置において、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接する第2の半導体領域を備え、前記ゲート電極に第1の電圧が印加されている場合には前記第1の半導体領域に空乏層を生じ、前記第1の電圧を印加した場合とは異なる排他的なトランジスタの動作を行わしめる第2の電圧が印加されている場合には、前記第1の電圧が印加されている場合と比べて前記空乏層の幅が狭くなりまたは前記空乏層が消滅することを特徴とする、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 321 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 L

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭52-086084
特開昭64-046980
特開昭62-179768

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