特許
J-GLOBAL ID：200903060346173120

紫外線センサ

発明者：
中村 和敬

中村 和敬 について

, 
伊藤 吉博

伊藤 吉博 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-120208
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294639
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。【解決手段】ZnOを含む酸化物半導体からなる、ZnO層2と、ZnO層2に接するように設けられるものであって、ZnOがNiOに固溶してなる酸化物半導体からなる、(Ni,Zn)O層3と、ZnO層2に電気的に接続される、第1の端子電極5と、(Ni,Zn)O層3に電気的に接続される、第2の端子電極6とを備え、ZnO層2が紫外線7の受光側に位置されるように用いられる。(Ni,Zn)O層3は焼結体からなることが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ZnOを含む酸化物半導体からなる、ZnO層と、 前記ZnO層に接するように設けられるものであって、ZnOがNiOに固溶してなる酸化物半導体からなる、(Ni,Zn)O層と、 前記ZnO層に電気的に接続される、第1の端子電極と、 前記(Ni,Zn)O層に電気的に接続される、第2の端子電極と を備え、 前記ZnO層が、紫外線の受光側に位置されるように用いられる、紫外線センサ。
IPC (1件)：
H01L 31/00
FI (1件)：
H01L31/00 B
Fターム (7件)：
5F088AA02 ,  5F088AB09 ,  5F088AB16 ,  5F088BA01 ,  5F088CA10 ,  5F088FA05 ,  5F088LA05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 光センサー
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-332745   出願人：廣井善二, 村岡祐治, 山内徹
審査官引用 (3件)
  • 酸化物半導体PN接合デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-278214   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-045505   出願人：松下電器産業株式会社
  • 光センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-338900   出願人：ティーディーケイ株式会社

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