特許
J-GLOBAL ID：200903060365155800
磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
椎名 彊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163475
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008243
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【課題】 薄膜の磁気特性を劣化させることなく、高性能な薄膜の作製を可能にした磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法を提供すること。【解決手段】 CO-Cr-Ta系合金のガスアトマイズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、容器を除去し該金属成形材部分を取り出し、800〜1250°Cの温度範囲で低透磁率化のための熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法。
請求項（抜粋）：
Co-Cr-Ta系合金のガスアトマイズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固化成形し、一旦室温まで冷却した後、800°C〜1250°Cの温度で低透磁率化のための熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法。
IPC (6件)：
C23C 14/34
, C22C 19/07
, C22C 33/02
, C23C 14/14
, G11B 5/85
, H01F 41/18
C23C 14/34 A
, C22C 19/07 M
, C22C 33/02 L
, C23C 14/14 F
, G11B 5/85 C
, H01F 41/18
