特許
J-GLOBAL ID：200903060387770788

導電ポスト形成方法、多層配線基板の製造方法及び電子機器の製造方法

発明者：
平井 利充

平井 利充 について

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新舘 剛

新舘 剛 について

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山田 純

山田 純 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 西 和哉 ,  志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245305
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076744
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】位置や大きさの制御性に優れた導電ポスト形成方法、多層配線基板の製造方法、電子機器の製造方法。【解決手段】絶縁層18に覆われる導電層14に絶縁層18を貫通して接続する導電ポスト24の形成方法であって、導電層14上の導電ポスト形成領域に撥液材料を配置し、厚みが100nm以下となるように撥液部16を形成する工程と、撥液部16が形成された導電層14上に絶縁層形成材料を含む第2液状体L2を配置し、絶縁層形成材料を重合させて導電ポスト形成領域と重なる領域に開口部19を有する絶縁層18を形成する工程と、開口部19に金属微粒子22Aを配置する工程と、金属微粒子22Aを金属微粒子22Aの融着温度以上の温度で加熱し、金属微粒子22A同士を融着させて導電ポスト24を形成すると共に、金属微粒子22Aと導電層14とを融着させて導電ポスト24と導電層14とを接続する工程と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
絶縁層に覆われる導電層に前記絶縁層を貫通して接続する導電ポストの形成方法であって、 前記導電層上の導電ポスト形成領域に撥液材料を配置し、厚みが100nm以下となるように撥液部を形成する工程と、 前記撥液部が形成された前記導電層上に絶縁層形成材料を含む液状体を配置し、前記絶縁層形成材料を重合させて前記導電ポスト形成領域と重なる領域に開口部を有する前記絶縁層を形成する工程と、 前記開口部に前記金属微粒子を配置する工程と、 前記金属微粒子を前記金属微粒子の融着温度以上の温度で加熱し、前記金属微粒子同士を融着させて前記導電ポストを形成すると共に、前記金属微粒子と前記導電層とを融着させて前記導電ポストと前記導電層とを接続する工程と、を備えていることを特徴とする導電ポスト形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/10
FI (2件)：
H05K3/46 N ,  H05K3/10 D
Fターム (30件)：
5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA26 ,  5E343AA40 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB52 ,  5E343BB71 ,  5E343DD12 ,  5E343FF05 ,  5E343GG11 ,  5E343GG13 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD03 ,  5E346DD13 ,  5E346EE35 ,  5E346FF50 ,  5E346HH07 ,  5E346HH32 ,  5E346HH33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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