特許

J-GLOBAL ID：200903084527599851

多層構造形成方法、配線基板の製造方法、および電子機器の製造方法

発明者： 新舘 剛 ,  桜田 和昭 ,  山田 純
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-220146
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140437
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】 液滴吐出装置を用いて、ビアホールを備えた多層構造を形成すること。【解決手段】 多層構造形成方法が、導電性材料の液滴を吐出して、物体表面上に導電性材料パターンを形成するステップと、前記導電性材料パターンを焼成して配線パターンを形成するステップと、光硬化性材料を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターン上でビアホールを縁取る第1絶縁材料パターンを形成するステップと、前記第1絶縁材料パターンを硬化して、ビアホールを縁取る第1絶縁パターンを形成するステップと、前記物体表面を親液化するステップと、光硬化性材料を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターンと親液化された前記物体表面とを覆うとともに、前記第1絶縁パターンを囲む第2絶縁材料パターンを形成するステップと、前記第2絶縁材料パターンを硬化して、前記第1絶縁パターンを囲む第2絶縁パターンを形成するステップと、を含む。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

液滴吐出装置が用いられる多層構造形成方法であって、 第1導電性材料の液滴を吐出して、物体表面上に第1導電性材料パターンを形成するステップ(A)と、 前記第1導電性材料パターンを焼成して配線パターンを形成するステップ(B)と、 第1光硬化性材料を含む第1絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターン上でビアホールを縁取る第1絶縁材料パターンを形成するステップ(C)と、 前記第1絶縁材料パターンを硬化して、前記ビアホールを縁取る第1絶縁パターンを形成するステップ(D)と、 前記物体表面を親液化するステップ(E)と、 第2光硬化性材料を含む第2絶縁材料の液滴を吐出して、前記配線パターンと親液化された前記物体表面とを覆うとともに、前記第1絶縁パターンを囲む第2絶縁材料パターンを形成するステップ(F)と、 前記第2絶縁材料パターンを硬化して、前記第1絶縁パターンを囲む第2絶縁パターンを形成するステップ(G)と、 を含んだ多層構造形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/10 ,  H05K 3/46

FI (2件)：

H05K3/10 D ,  H05K3/46 N

Fターム (21件)：

5E343AA02 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB49 ,  5E343BB71 ,  5E343DD12 ,  5E343FF05 ,  5E343GG20 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD03 ,  5E346DD13 ,  5E346EE35 ,  5E346FF50 ,  5E346HH40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-238390   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (5件)

• 特開平2-039597
  
• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-226630   出願人：日本レック株式会社
• 画像形成装置及び画像形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339513   出願人：キヤノン株式会社
• 多層配線基板の製造方法、多層配線基板、電子デバイス及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-300143   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、圧電体素子、並びにインクジェット式記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-118287   出願人：セイコーエプソン株式会社