デバイスの製造方法及びデバイス製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087106
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282561
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】多層配線デバイスにおいてコンタクトホールを形成する際、製造工程の簡略化や装置構成の簡易化を実現し、低コストでデバイスを製造できるデバイスの製造方法及びデバイス製造装置を提供する。【解決手段】基板Pに対して液滴吐出ヘッドからインクを吐出して複数の材料層を積層する際、ドレイン電極544上面に非吐出領域Hを予め設定しておき、ドレイン電極544のうち非吐出領域H以外の部分にインクを吐出して、ドレイン電極544及び第1層間絶縁層583上層に第2層間絶縁層584を形成する。

請求項（抜粋）：

基板に対して流動体を定量的に滴下可能な滴下装置から流動体を滴下して前記基板上に複数の材料層を積層する工程を有するデバイスの製造方法において、前記基板上に形成された第1の材料層上面に非滴下領域を予め設定しておき、前記第1の材料層のうち前記非滴下領域以外の部分に流動体を滴下し、前記第1の材料層上層に第2の材料層を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (4件)：

H01L 21/316 G , H05B 33/14 A , H01L 21/90 Q , H01L 29/78 619 A

Fターム (64件)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH17 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033JJ08 , 5F033JJ17 , 5F033JJ21 , 5F033JJ38 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK17 , 5F033KK21 , 5F033QQ00 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF21 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN32 , 5F110NN39 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-105218 出願人：セイコーエプソン株式会社
素子回路基板上の絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-318324 出願人：キヤノン株式会社
ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-240760 出願人：富士写真フイルム株式会社

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