集積回路を製造する方法および集積回路

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-020124
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217411
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】水分の浸食、層間剥離、銅の外への拡散に対処する集積回路を提供する。【解決手段】集積回路[100][900]を製造する方法[1300]は、半導体素子[300]を有する基板[102]を提供し、基板[102]および半導体素子[300]にわたって金属間誘電層[112]を形成するステップを含む。金属ワイヤ[114]は半導体素子[300]の上方にかつそれに接触して形成され、パッシベーション層[118][902]は金属間誘電層[112]にわたって形成される。ボンドパッド[304]は金属ワイヤ[114]に接続して形成される。側壁パッシベーション層を備えた保護凹部[200][1000]は、パッシベーション層[118][902]および金属間誘電層[112]を通して形成され、金属ワイヤ[114]と集積回路[100][900]の外側のエッジとの間にある。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

集積回路[100][900]を製造する方法[1300]であって、半導体素子[300]を有する基板[102]を提供するステップと、前記基板[102]および前記半導体素子[300]にわたって金属間誘電層[112]を形成するステップと、前記半導体素子[300]の上方にかつそれに接触して金属ワイヤ[114]を形成するステップと、前記金属間誘電層[112]にわたってパッシベーション層[118][902]を形成するステップと、前記金属ワイヤ[114]に接続されるボンドパッド[304]を形成するステップと、前記パッシベーション層[118][902]および前記金属間誘電層[112]を通して保護凹部[200][1000]を形成するステップとを含み、前記保護凹部[200][1000]は、前記金属ワイヤ[114]と前記集積回路[100][900]の外側のエッジとの間にある、方法。

IPC (3件)：

H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L27/04

FI (3件)：

H01L21/88 S , H01L27/04 H , H01L27/04 D

Fターム (35件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033QQ25 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR29 , 5F033SS02 , 5F033TT04 , 5F033VV00 , 5F033VV07 , 5F033XX18 , 5F033XX28 , 5F038BH09 , 5F038BH20 , 5F038CA05 , 5F038CA10 , 5F038CD18 , 5F038DF20 , 5F038EZ15 , 5F038EZ19 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192723 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
特開平1-309351
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-157195 出願人：株式会社東芝

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