特許
J-GLOBAL ID：200903060472724868
架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-062656
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 高解像性で耐エッチング性に優れ、しかも最近の薄膜化に対応しうるレジストパターンの形成が可能な化学増幅型の架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなるレジスト組成物において、(A)成分が、(a1)一般式【化1】(Rは水素原子又はメチル基)で表わされる構成単位、(a2)一般式【化2】(Rは前記と同じ)で表わされる構成単位、(a3)一般式【化3】(R1は水素原子又はメチル基、R2、R3及びR4の中の1個は多環式飽和炭化水素基であるか又はその中の2個で多環式飽和炭化水素環を形成しており、他は低級アルキル基)で表わされる構成単位及び(a4)一般式【化4】(R1は前記と同じ、R5及びR6は低級アルキル基、nは1〜3の整数、Aは単結合又はn+1価の有機基)で表わされる架橋型構成単位を含む共重合体である架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物とする。
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなるレジスト組成物において、(A)成分が、(a1)一般式【化1】(式中のRは水素原子又はメチル基である)で表わされる構成単位、(a2)一般式【化2】(式中のRは前記と同じ意味をもつ)で表わされる構成単位、(a3)一般式【化3】(式中のR1は水素原子又はメチル基、R2、R3及びR4の中の1個は多環式飽和炭化水素基であるか又はその中の2個で多環式飽和炭化水素環を形成しており、他は低級アルキル基である)で表わされる構成単位及び(a4)一般式【化4】(式中のR1は前記と同じ意味をもち、R5及びR6は低級アルキル基、nは1〜3の整数、Aは単結合又はn+1価の有機基である)で表わされる架橋型構成単位を含む共重合体であることを特徴とする架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (11件)：
G03F 7/039 601
, C08F212/14
, C08K 5/00
, C08K 5/09
, C08K 5/17
, C08K 5/5333
, C08L 25/18
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
, C08F212:08
, C08F220:18
G03F 7/039 601
, C08F212/14
, C08K 5/00
, C08K 5/09
, C08K 5/17
, C08K 5/5333
, C08L 25/18
, G03F 7/004 501
, C08F212:08
, C08F220:18
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB51
, 2H025CC20
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 4J002BC121
, 4J002DH029
, 4J002EF098
, 4J002EF118
, 4J002EN027
, 4J002EN107
, 4J002EV296
, 4J002EW049
, 4J002EW129
, 4J002FD156
, 4J002GP03
, 4J100AB02R
, 4J100AB07P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL62S
, 4J100AL63S
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA16Q
, 4J100BC07Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC12Q
, 4J100CA06
, 4J100JA38
