特許
J-GLOBAL ID：200903094586646184

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
湯川 博人

湯川 博人 について

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大森 克実

大森 克実 について

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内田 竜介

内田 竜介 について

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沢柳 幸弘

沢柳 幸弘 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235453
公開番号（公開出願番号）：特開2000-066401
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 感度、解像性が優れ、薄膜が設けられた基板に対して、断面に裾引きがなく、垂直なレジストパターンを形成しうるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 酸の作用によりアルカリ性水溶液への溶解度が増大する樹脂成分と放射線の照射により酸を発生する酸発生成分との組合せを含む放射線感応性ポジ型レジストに対し、リンのオキソ酸又はその誘導体を添加して、ポジ型レジスト組成物とする。また、薄膜を設けた基板上に、この組成物の塗膜を設け、マスクパターンを介して該塗膜を露光したのち加熱し、次いで現像処理して、レジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ性水溶液への溶解度が増大する樹脂成分と放射線の照射により酸を発生する酸発生成分との組合せを含む放射線感応性ポジ型レジストに対し、リンのオキソ酸又はその誘導体を添加したことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (13件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025DA40 ,  2H025FA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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