特許
J-GLOBAL ID：200903060511277980

半導体装置の製造方法

発明者：
松崎 秀昭

松崎 秀昭 について

, 
榎木 孝知

榎木 孝知 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215462
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063492
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】Arプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、BCB膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでT型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるT型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上のFET構造2上に、反応性イオンエッチングに対するエッチング特性が異方的、等方的にそれぞれ変化する2層のベンゾシクロブテン(BCB)膜3、4を積層する工程と、2層のBCB膜3、4を一度の反応性イオンエッチングによりT型開口パタンを形成する工程と、T型開口パタンを用いてT型ゲート電極6を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に結晶成長された電界効果型トランジスタ構造上に、反応性イオンエッチングに対するエッチング特性が、異方的な層と、等方的な層とを、積層した2層のベンゾシクロブテン(BCB)膜を形成する工程と、 一度の反応性イオンエッチングにより上記2層のBCB膜にT型開口パタンを形成する工程と、 上記T型開口パタンを用いてT型ゲート電極を形成する工程とを、少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L21/312 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L29/80 F ,  H01L21/312 M
Fターム (12件)：
5F058AA10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF01 ,  5F058AG07 ,  5F058AH04 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102HC17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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