特許

J-GLOBAL ID：200903060530620067

磁気ランダムアクセスメモリ装置

発明者： 中尾 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058098
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250206
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、低電流で書き込み可能にするとともに、磁気抵抗変化比を向上する。【解決手段】 磁化方向が固定された第1の強磁性体層1と磁化方向の回転が可能な第2の強磁性体層2との間に絶縁体膜3或いは導電体膜のいずれかを挟持したメモリセルアレイからなる磁気ランダムアクセスメモリ装置の、前記磁化方向が固定された第1の強磁性体層1のみを、スピン分極率が0.9以上の強磁性材料で構成する。

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定された第1の強磁性体層と磁化方向の回転が可能な第2の強磁性体層との間に絶縁体膜或いは導電体膜のいずれかを挟持したメモリセルアレイからなる磁気ランダムアクセスメモリ装置において、前記磁化方向が固定された第1の強磁性体層のみを、スピン分極率が0.9以上の強磁性材料で構成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ装置。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z

Fターム (4件)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BB08 ,  5D034CA00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265663   出願人：株式会社東芝
• 強磁性トンネル接合素子と磁気ヘッドと磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238726   出願人：日本電気株式会社
• MRAM装置およびMRAM装置への書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-235407   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー