特許
J-GLOBAL ID：200903060536758699

半導体素子搭載用基板

発明者：
三谷 軌文

三谷 軌文 について

, 
長島 徹治

長島 徹治 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006653
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209199
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 絶縁基板の上面の中心部に搭載される半導体素子の熱を効率よく絶縁基板を介してヒートシンクに伝えることにより、半導体素子を長期に亘り正常かつ安定に作動させることを可能とすること。【解決手段】 下面の中心部が突出するように反っているセラミックスから成る絶縁基板1の上面に半導体素子Bを搭載するための第一のメタライズ層1aが形成されているとともに下面にヒートシンクAに接合するための第二のメタライズ層1bが形成されており、第二のメタライズ層1bは、略同形の複数の導体パターンCが絶縁基板1の下面の中心部1cで互いに接続されているとともに絶縁基板1の下面の略全面に形成されている。
請求項（抜粋）：
下面の中心部が突出するように反っているセラミックスから成る絶縁基板の上面に半導体素子を搭載するための第一のメタライズ層が形成されているとともに前記下面にヒートシンクに接合するための第二のメタライズ層が形成されており、該第二のメタライズ層は、略同形の複数の導体パターンが前記絶縁基板の前記下面の前記中心部で互いに接続されているとともに前記絶縁基板の前記下面の略全面に形成されていることを特徴とする半導体素子搭載用基板。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-314872   出願人：株式会社日立製作所
  • 絶縁基板及び半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-001274   出願人：芝府エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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